В Европе приступили к разработке новых модулей MOSFET на основе SiC

11.01.2017

Филиал японской компании Rhom Semiconductor в Европе приступил к созданию третьего поколения MOSFETs транзисторов на основе карбид кремния.

Специалисты корпорации указывают, что сейчас в массовом производстве находятся первые траншейные МОП-транзисторы. Это поколение характеризуется следующими качествами:

  • снижение сопротивления на 50% во всем диапазоне температур;
  • низкие потери при переключении на высокие скорости, что обеспечивает оптимальную производительность;
  • увеличение частоты коммутации способствует уменьшению размеров периферийных компонентов (конденсаторов и катушек);
  • высокая эффективность преобразований.

По заявлениям сотрудников Rhom Semiconductor, третье поколение изделий оснащено барьерными диодами Шоттки. Транзисторы имеют такие свойства:

  • наименьшее прямое напряжение;
  • низкая утечка обратного тока во всем температурном диапазоне;
  • высокая способность к ударным токам, что идеально подходит для приложений электропитания.

Используемые в устройствах диоды показывают ультракороткое время обратного восстановления, если сравнивать с кремниевыми изделиями.

Также компания работает над созданием нового модуля питания с более низкой паразитной индуктивностью.