Создан чип на основе SiC для полета на Венеру

20.03.2017

Известно, что природные условия на Венере не слишком располагают к проведению исследований на ней. Препятствиями для получения данных являются неподходящее давление и ядовитые облака, которые состоят из серной кислоты. Однако наибольшую проблему представляет температура поверхности + 462 градусов Цельсия. По этой причине рекордное время пребывания зонда на второй от Солнца планете 2 часа и 7 минут, после чего он начал плавиться.

Недавно ученые-инженеры из исследовательского центра в Кливленде разработали новый чип, который должен выдерживать жуткие условия Венеры. Добиться хороших результатов удалось только по причине использования карбида кремния. Именно из него сделали полупроводниковые интегральные схемы.

Преимуществом материала является его отличная теплостойкость. Для сравнения: стандартные чипы из кремния выдерживают температуру до +250°С, чего катастрофически мало для проведения операций на Венере.

Чтобы протестировать разработку, ученые поместили чип из SiC (карбида кремния) в специальную установку объемом 800 литров, температура и давление в которой были максимально приближены к показателям на Венере.

Испытание интегральных схем прошло удачно: они пробыли там 521 час и все еще работали после извлечения.

Такая разработка и успешный эксперимент дают надежду на то, что человечество в скором времени получит больше ценной информации о удивительной планете нашей солнечной системы.

Создан чип на основе SiC для полета на Венеру