28.09.2017
17-22 сентября 2017 года в Вашингтоне прошла Международная конференция International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM 2017), посвященная карбиду кремния и смежным материалам. В рамках мероприятия японская корпорация Mitsubishi заявила о разработке силового устройства из SiC, энергопотребление которого считается наиболее высоким среди приспособлений такого плана. Блок предназначен для монтажа в силовых модулях. При этом необходимости в прерывании подачи тока высокоскоростной защитной схемой при выявлении избыточного нет.
Планируемые сферы применения разработки:
— бытовые приборы;
— промышленная техника;
— железнодорожное хозяйство.
Основное конкурентное преимущество изобретения в том, что удалось уменьшить ток короткого замыкания, так как повышается сопротивление и температура. Однако в условиях нормальных и низких температур сохраняется устойчивость.
Новое устройство характеризуется повышенной эффективностью и надёжностью по сравнению с известными аналогами на рынке. Такие качества обеспечиваются особенной структурой источника. В традиционных МОП источник представляет собой единую область. Нововведение Mitsubishi состоит в создании дополнительной сферы в исходной зоне для управления сопротивлением. Как результат, частота чрезмерных потоков тока, которые спровоцированы коротким замыканием, снижается.
Подобная упрощенная схема дает возможность применять технологию с различным напряжением. Она способна защитить компоненты из карбида кремния от разрушений при коротком замыкании.