26.01.2018
В Технологическом университете в Вене команда ученых во главе с профессором Шмидтом работает над созданием полупроводников, способных функционировать в агрессивной среде. Ранее проводились эксперименты с кремнием, имеющим пористую структуру. Эти крошечные отверстия на наноуровне могли быть использованы для очень маленьких датчиков, электронных компонентов. Однако карбид кремния показал лучшие результаты: он более стойкий в химическом плане, чем просто кремний, а потому не нуждается в дополнительной обработке перед использованием.
Для демонстрации потенциала разработки ученые задействовали зеркало, избирательно отражающее различные цвета в SiC-пластине. В результате создавались тонкие слои с разной степенью пористости. Как выяснилось, пористая структура находится в прямой связи с воздействием на материал волн света. При возможности контроля пористости можно также регулировать оптический показатель преломления.
Перспективы использования разработки:
— сенсорные технологии. Пример – измерение посредством полупроводниковых датчиков преломления в жидкостях, чтобы различать их типы;
— антибликовые покрытия;
— электронные или оптические компоненты;
— специальные биосенсоры.
Значительное преимущество карбида кремния – его устойчивость к воздействию высокой температуры, щелочных растворов и другим неблагоприятным для обычного кремния условиям. Следует отметить, что сейчас кремний используется повсеместно в электронике и имеет значительные ограничения по критериям эксплуатации. Так что новый материал может вызвать революцию в отрасли.